金融界2025年6月2日消息可靠配资平台，国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“钝化接触结构及其制备方法和应用”的专利，公开号CN120076477A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种钝化接触结构及其制备方法和应用。所述钝化接触结构的制备方法包括：在硅片的任一表面制备隧穿氧化层；通入氢气、磷烷、硅烷以及氨气，在隧穿氧化层表面进行一次沉积；一次沉积结束后，继续通入氢气、磷烷、硅烷以及氨气进行二次沉积，使隧穿氧化层表面形成掺杂多晶氮化硅层；通过退火处理，使硅片表面形成钝化接触结构；一次沉积中氢气与磷烷的流量比大于二次沉积中氢气与磷烷的流量比，且差值为1.4‑3.1；一次沉积的温度大于或等于二次沉积的温度，且差值小于10℃。由本发明所述制备方法制得的钝化接触结构有利于减少光学寄生吸收损失，提高光伏电池的光电转换效率。
本文源自：金融界
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